【第一參賽人/留學人員】趙馗
【留學國家】美國
【技術領域】新一代信息技術
【參賽屆次】第10屆
【所獲獎項】三等獎
【項目簡介】
射頻/等離子源是半導體加工設備的“心臟”。而半導體加工設備的工作原理，使其對驅動它的高頻交流源的可靠性、精密度、功率密度、功能性等方面具有非常高的技術要求,技術研發(fā)門檻極高。目前我國在該方向的研究積累很薄弱，射頻/等離子體源的技術主要掌握在美、日、德等少數(shù)國家的少數(shù)廠家中，嚴重制約了我國集成電路裝備和產業(yè)的自主化和長期發(fā)展，是被“卡脖子”的技術。為實現(xiàn)半導體加工裝備刻蝕（Etch）設備和等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備中核心部件的國產化替代，開發(fā)能滿足 28—14nm 及更先進工藝需求的射頻/等離子源系統(tǒng)。本項目開發(fā)的射頻電源產品不僅具備同步脈沖、調頻等先進功能，同時具備半導設備所需要的高穩(wěn)定性、高可靠性特征。項目將完成射頻/等離子源系統(tǒng)的用戶量產驗證和產業(yè)化，并進入集成電路大規(guī)模生產線。為了創(chuàng)造項目實施條件，公司在閔行區(qū)浦江鎮(zhèn)建立了2200 平米的研發(fā)中心和中試線，目前產品處于測試驗證階段；為了支撐進一步的量產規(guī)劃，公司在臨港新片區(qū)規(guī)劃了4300 平米的獨棟廠房，計劃于2024 年6月正式啟用。在項目期內，擬申請不少于10 篇專利，取得核心自主知識產權，并在3年內實現(xiàn)300臺以上的銷售。
【展開】
【收起】